[发明专利]飞秒激光无掩膜法制备磁敏感微结构单元的方法有效
| 申请号： | 201210303909.5 | 申请日： | 2012-08-24 |
| 公开（公告）号： | CN102838081A | 公开（公告）日： | 2012-12-26 |
| 发明（设计）人： | 周广宏;朱雨富;潘旋;章跃;丁红燕;郑晓虎;夏木建 | 申请（专利权）人： | 淮阴工学院 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 淮安市科翔专利商标事务所 32110 | 代理人： | 韩晓斌 |
| 地址： | 223001 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种利用飞秒激光无掩膜法制备磁敏感微结构单元的方法，包括以下步骤：（1）按衬底、缓冲层、磁性层、保护层的顺序沉积制作磁性薄膜；（2）利用飞秒激光作为光源，通过计算机精确控制样品台的位置，对磁性薄膜进行无掩膜辐照，得磁敏感微结构单元；其中，飞秒激光的参数为：单脉冲能量5～50µJ；脉冲宽度90～150fs；波长800nm；脉冲频率10～100Hz；样品台移动速度为60～500µm/min；在辐照时根据需要沿平行或垂直于磁性薄膜膜面方向施加0~500Oe的诱导磁场。本方法简单、高效、可控，且无需预先制造掩模。 | ||
| 搜索关键词： | 激光 无掩膜 法制 敏感 微结构 单元 方法 | ||
【主权项】：
利用飞秒激光无掩膜法制备磁敏感微结构单元的方法，其特征在于包括以下步骤：（1）按衬底、缓冲层、磁性层、保护层的顺序沉积制作磁性薄膜； （2）利用飞秒激光作为光源，通过计算机精确控制样品台的位置，对磁性薄膜进行无掩膜辐照，得磁敏感微结构单元。
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