[发明专利]一种绝缘栅双极型晶体管无效
| 申请号： | 201210304090.4 | 申请日： | 2012-08-24 |
| 公开（公告）号： | CN102790077A | 公开（公告）日： | 2012-11-21 |
| 发明（设计）人： | 李泽宏;赵起越;李巍;任敏;张金平;张波 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/739 |
| 代理公司： | 成都行之专利代理事务所(普通合伙) 51220 | 代理人： | 温利平 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 一种绝缘栅双极型晶体管，属于功率半导体器件技术领域。本发明通过离子注入或杂质扩散方式在传统绝缘栅双极型晶体管的P+体区（6）中引入带有受主能级的深能级杂质（12）。在室温下，P+体区（6）中引入的深能级杂质（12）只有少部分电离，对器件正向导通工作的影响可以忽略。当器件内有大电流流过时，器件产生热损耗增大，深能级杂质（12）的电离率会随着器件温度的升高而增大，提高了IGBT器件中寄生NPNP晶闸管结构中NPN管基区有效掺杂浓度，降低了NPN管发射极注入效率γ，进而降低NPN管共基极放大系数αNPN，可避免因αNPN+αPNP≥1而使器件寄生的晶闸管开启，器件因失去栅控能力无法关断而最终烧毁的后果，最终达到增大器件的正向安全工作区，提高器件可靠性的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 绝缘 栅双极型 晶体管 | ||
【主权项】：
一种绝缘栅双极型晶体管，包括金属化集电极（1）、P型集电区（2）、N+缓冲层（3）、N‑漂移区（4）、P+体区（6）、P型基区（5）、N+源区（7）、二氧化硅栅氧化层（8）、多晶硅栅电极（9）、二氧化硅场氧化层（10）、金属化发射极（11）；金属化集电极（1）位于P型集电区（2）的背面，N+缓冲层（3）位于P型集电区（2）的正面，且上方同N‑漂移区（4）相连；N+源区（7）和P+体区（6）二者并排位于金属化发射极（12）下方、且与金属化发射极（12）相连，其中P+体区（6）下方与N‑漂移区（4）直接相连，N+源区（7）同N‑漂移区（4）之间隔着P型基区（5）；N‑漂移区（4）、P型基区（5）和N+源区（7）三者与多晶硅栅电极（9）之间隔着二氧化硅栅氧化层（8），多晶硅栅电极（9）与金属化发射极（11）之间隔着二氧化硅场氧化层（10）；其特征在于，所述P+体区（6）中引入了带有受主能级的深能级杂质（12）。
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