[发明专利]半导体器件及其制造方法

摘要

本发明提供一种半导体器件的制造方法，包括提供SOI衬底，所述SOI衬底包括基底层、位于所述基底层之上的绝缘层、以及位于所述绝缘层之上的器件层；在所述SOI衬底上形成栅堆叠；以所述栅堆叠为掩模，刻蚀所述SOI衬底的器件层、绝缘层以及部分基底层，在所述栅堆叠两侧形成凹陷；在所述凹陷内形成晶体介电层，所述晶体介电层的上表面低于所述绝缘层的上表面且不低于所述绝缘层的下表面；在所述晶体介电层之上形成源/漏区。本发明还提供一种半导体器件。本发明在消除了源/漏区与SOI衬底之间的漏电流路径的同时，也可以降低源/漏区的接触电阻。

主权项

一种半导体器件的制造方法，包括：a)提供SOI衬底(100)，所述SOI衬底(100)包括基底层(101)、位于所述基底层(101)之上的绝缘层(102)、以及位于所述绝缘层(102)之上的器件层(103)；b)在所述SOI衬底(100)上形成栅堆叠；c)以所述栅堆叠为掩模，刻蚀所述SOI衬底(100)的器件层(103)、绝缘层(102)以及部分基底层(101)，在所述栅堆叠两侧形成深入所述基底层内部的凹陷(104)；d)在所述凹陷(104)内形成晶体介电层(105)，所述晶体介电层(105)的上表面低于所述绝缘层(102)上表面，且所述晶体介电层(105)延伸至所述基底层内，且上表面且不低于所述绝缘层(102)的下表面；e)在所述晶体介电层(105)之上形成源/漏区(107)。