[发明专利]功率MOSFET电流传感结构和方法

摘要

一种具有主‑FET(MFET)和内嵌的电流传感‑FET(SFET)的功率MOSFET。通过在MFET和SFET之间的缓冲空间中的隔离栅条(IGRs)将MFET栅条耦合至SFET栅条。在一个实施例中，n个IGRs(i＝1至n)将MFET(304)的第一部分的n+1个栅耦合至SFET的n个栅。该IGRs具有之字形中央部分，其中每一个SFET栅条通过该IGRs耦合至两个MFET栅条。对除第一个和最后一个IGRs的外侧之外的所有IGRs，之字形中央部分提供阻挡以阻止在SFET的源和MFET的源之间的寄生泄漏路径。通过增加残余泄漏路径周围的区域中的体掺杂可实现这样的阻挡。该IGRs实质上没有源区。

主权项

1.一种功率金层-氧化物-半导体-场-效应-晶体管MOSFET，包括：具有上表面和下表面的衬底；形成在衬底中的主场效应晶体管MFET，具有多个MFET源区和延伸至上表面的MFET栅条，耦合至该多个MFET源区的上面的源极金属，和邻近下表面的漏接触以及漏区；形成在衬底中的电流传感场效应晶体管SFET，具有多个SFET源区和延伸至上表面的SFET栅条，耦合至该多个SFET源区的上面的源极金属，和邻近下表面的漏接触以及漏区，其中该SFET横向嵌在该MFET内，但是通过缓冲区与MFET隔离；和隔离栅条，在其上没有源区，所述隔离栅条位于缓冲区中且将MFET栅条电性耦合至SFET栅条，同时电性隔离MFET源区和SFET源区；其中隔离栅条将SFET栅条耦合在一起，且将MFET栅条也耦合在一起，并且进一步将耦合的MFET栅条和耦合的SFET栅条互相连接。