[发明专利]外延生长后埋层图形漂移量的测量方法无效
| 申请号： | 201210305691.7 | 申请日： | 2012-08-24 |
| 公开（公告）号： | CN102788556A | 公开（公告）日： | 2012-11-21 |
| 发明（设计）人： | 吴建;徐俊;王大平 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第二十四研究所 |
| 主分类号： | G01B11/02 | 分类号： | G01B11/02 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 400060 *** | 国省代码： | 重庆;85 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开一种测量外延图形漂移的方法，该方法包括：利用光刻版A，在硅片上形成埋层图形；将所述有埋层图形的硅片进行退火处理形成二氧化硅层做为保护层；利用光刻版B，对所述长有保护层的硅片进行光刻、刻蚀，将同一个埋层图形分为保护区与未保护区两个区域；生长一外延层；测量埋层图形未保护区域相对于埋层图形保护区域的位移数据，得到外延后埋层图形漂移量。本发明方法经外延生长后，硅片不需再经过其他手段处理，便可直接用光学显微镜或拍照后进行图形处理的方法进行测量；不需经过切片、磨角、染色等人工操作步骤，不同人员操作结果的偏差极小；提高了测量外延后埋层图形漂移量的精度，其测量精度可达0.01μm级，比常规磨角染色法的测量精度提高了一个数量级。 | ||
| 搜索关键词： | 外延 生长 后埋层 图形 漂移 测量方法 | ||
【主权项】：
一种外延生长后埋层图形漂移量的测量方法，其特征在于，包括如下步骤：（1）利用光刻版A，在硅片上形成埋层图形；（2）将所述有埋层图形的硅片进行退火处理，形成SiO2层作为保护层；（3）利用光刻版B，对所述有保护层的硅片进行光刻、刻蚀，将同一个埋层图形分为保护区域与未保护区域；（4）生长一外延层；（5）测量埋层图形未保护区域相对于埋层图形保护区域的位移数据，得到外延后埋层图形漂移量。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国电子科技集团公司第二十四研究所，未经中国电子科技集团公司第二十四研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210305691.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种炭包覆磁性吸附材料的制备方法及其用途
- 下一篇：一种低通滤波器
