[发明专利]形成硫化物半导体膜及其太阳能电池的方法

摘要

本发明公开了一种形成硫化物半导体膜的方法及一种包含此硫化物半导体膜的太阳能电池的制作方法。形成硫化物半导体膜的方法包含涂布一层前驱物溶液于一基板上，以及进行一回火工艺，使此层前驱物溶液形成硫化物半导体膜。其中，此前驱物溶液包含溶剂、金属硫化物纳米粒子，以及金属离子及金属络合物离子至少其中之一，且金属离子及/或金属络合物离子是分布于金属硫化物纳米粒子的表面。金属硫化物纳米粒子、金属离子及金属络合物离子所包括的金属是选自周期表第I、II、III及IV族元素且包含此硫化物半导体材料的所有金属元素。

主权项

一种形成硫化物半导体膜的方法，其特征在于，包含有：涂布一层前驱物溶液于一基板上，此前驱物溶液包含一溶剂、金属硫化物纳米粒子，以及金属离子及金属络合物离子至少其中之一，其中，所述金属离子及/或所述金属络合物离子是分布于所述金属硫化物纳米粒子的表面；以及进行一回火工艺，使所述层前驱物溶液形成所述硫化物半导体膜；其中，金属硫化物纳米粒子、金属离子及金属络合物离子所包含的金属是选自由周期表第I、II、III及IV族所构成的组合且包含所述硫化物半导体材料的所有金属元素。