[发明专利]螯合材料再生方法及基板处理装置无效
申请号: | 201210306729.2 | 申请日: | 2012-08-24 |
公开(公告)号: | CN103065958A | 公开(公告)日: | 2013-04-24 |
发明(设计)人: | 柏井俊彦;村田贵 | 申请(专利权)人: | 住友精密工业股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/306 | 分类号: | H01L21/306;C23F1/46 |
代理公司: | 北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司 11139 | 代理人: | 孙皓晨;李涵 |
地址: | 日本兵库*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供一种不使用碱性水溶液即可有效地去除吸附在具有阴离子吸附作用的吸附材上的氯化物离子的螯合材料再生方法、及具有螯合材料再生功能的基板处理装置。基板处理装置包括贮存蚀刻液L的贮存槽、进行蚀刻处理的基板处理机构、及蚀刻液再生装置等,蚀刻液再生装置包括:吸附金属成分的吸附塔;使蚀刻液L在贮存槽与吸附塔之间循环的去除处理用循环机构;将洗脱液、清洗液及置换液分别供给至吸附塔的洗脱液供给机构、清洗液供给机构及置换液供给机构;以及控制去除处理用循环机构、洗脱液供给机构、及置换液供给机构等的动作的控制装置。 | ||
搜索关键词: | 材料 再生 方法 处理 装置 | ||
【主权项】:
一种螯合材料再生方法,将作为具有吸附阴离子及金属成分的作用的螯合材料、填充至吸附塔内部且通过对该吸附塔供给并流通含有所述金属成分的处理液而吸附有金属成分的所述螯合材料再生为可再使用的状态,其特征在于,依次执行如下工序:将盐酸水溶液供给至所述吸附塔,使吸附在所述螯合材料上的金属成分洗脱,将流通过所述吸附塔内的盐酸水溶液回收;将清洗液供给至所述吸附塔,冲洗残留在吸附塔内的盐酸水溶液,将流通过所述吸附塔内的清洗液回收;以及将置换液供给至所述吸附塔,使吸附在所述螯合材料上的氯化物离子洗脱,将流通过所述吸附塔内的置换液回收。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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