[发明专利]具有额外有源区域的半导体装置之间的隔离区域

摘要

本发明描述一种提供集成电路上的半导体装置之间的额外有源区域的隔离区域。在一个实施例中，本发明包含：具有源极、漏极和所述源极与所述漏极之间的栅极的图像传感器的互补金属氧化物半导体晶体管，所述晶体管具有用以在所述栅极的影响下耦合所述源极与所述漏极的沟道；以及隔离屏障，其围绕所述源极和所述漏极的周边以将所述源极和所述漏极与其它装置隔离，其中所述隔离屏障距所述沟道的中心部分某一距离。

主权项

一种电路，其包括：具有源极、漏极和所述源极与所述漏极之间的栅极的图像传感器的互补金属氧化物半导体晶体管，所述晶体管具有用以在所述栅极的影响下耦合所述源极与所述漏极的沟道；以及隔离屏障，其围绕所述源极和所述漏极的周边以将所述源极和所述漏极与其它装置隔离，其中所述隔离屏障距所述沟道的中心部分某一距离。