[发明专利]激光退火提高铁磁/反铁磁双层膜交换偏置场热稳定性方法无效
申请号: | 201210309566.3 | 申请日: | 2012-08-28 |
公开(公告)号: | CN102832336A | 公开(公告)日: | 2012-12-19 |
发明(设计)人: | 周广宏;章跃;潘旋;朱雨富;丁红燕 | 申请(专利权)人: | 淮阴工学院 |
主分类号: | H01L43/12 | 分类号: | H01L43/12 |
代理公司: | 淮安市科翔专利商标事务所 32110 | 代理人: | 韩晓斌 |
地址: | 223001 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种激光快速退火提高铁磁/反铁磁双层膜交换偏置场热稳定性的方法,它包括以下步骤:(1)利用PVD方法在衬底上沉积铁磁层和反铁磁层,得铁磁/反铁磁双层膜;(2)利用连续波激光或脉冲激光作为光源,对双层膜进行激光快速退火,输出功率2~10W,扫描速度5~20cm/s。本发明方法可应用于基于铁磁/反铁磁双层膜的巨磁阻电阻传感器、磁性随机存取存储器、磁记录器件等,具有方法简单、效率高的优点。 | ||
搜索关键词: | 激光 退火 提高 反铁磁 双层 交换 偏置 热稳定性 方法 | ||
【主权项】:
激光快速退火提高铁磁/反铁磁双层膜交换偏置场热稳定性方法,其特征在于该方法包括以下步骤:(1)按衬底、缓冲层、磁性层、保护层的顺序采用物理气相沉积法(PVD),制作铁磁/反铁磁双层膜;(2)利用连续波激光或脉冲激光作为光源,对铁磁/反铁磁双层膜进行激光快速退火;其中,在激光快速退火时,施加100~500Oe的平面诱导磁场;其中,激光快速退火的工艺参数为:输出功率2~10W,扫描速度5~20cm/s。
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