[发明专利]半导体装置无效

专利信息
申请号: 201210310191.2 申请日: 2012-08-28
公开(公告)号: CN103066063A 公开(公告)日: 2013-04-24
发明(设计)人: 佐仓直喜 申请(专利权)人: 瑞萨电子株式会社
主分类号: H01L23/64 分类号: H01L23/64
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 代理人: 申发振
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明公开一种半导体装置,包括半导体芯片、具有以半导体芯片安装于其上的第一表面以及与第一表面相反的第二表面的引线框、用于耦接半导体芯片和引线框的接合导线、以及布置于引线框中与具有半导体芯片安装于其上的表面相反的表面之上的且具有为5或更大的相对介电常数的高介电层。引线框包括与形成于半导体芯片之上的半导体器件的源极耦接的源电极引线以及源电极引线和接合导线于其上耦接在一起的源极-导线结。高介电层被布置于至少包括与在引线框的第二表面之上的源极-导线结对应的位置的区域内。
搜索关键词: 半导体 装置
【主权项】:
一种半导体装置,包括:半导体芯片;具有第一表面和第二表面的引线,所述第一表面上安装有所述半导体芯片,所述第二表面与所述第一表面相反;用于耦接所述半导体芯片和所述引线的接合导线;用于从所述第二表面支撑所述引线的一部分的树脂基底;以及具有为5或更大的相对介电常数的高介电层,其中所述引线包括源电极引线和源极‑导线结,所述源电极引线与形成于所述半导体芯片之上的半导体器件的源极耦接,所述源极‑导线结是所述源电极引线和所述接合导线于其处耦接在一起的结,并且其中所述高介电层被布置于所述引线的所述第二表面之上的区域内,所述区域至少包括与所述源极‑导线结对应的位置,并且由所述基底围绕。
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