[发明专利]一种静电卡盘有效
申请号: | 201210310949.2 | 申请日: | 2012-08-28 |
公开(公告)号: | CN103633003A | 公开(公告)日: | 2014-03-12 |
发明(设计)人: | 左涛涛;吴狄;周宁;倪图强 | 申请(专利权)人: | 中微半导体设备(上海)有限公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01J37/32 |
代理公司: | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 张龙哺;冯志云 |
地址: | 201201 上海市浦东新*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 发明提供一种静电卡盘,用于等离子体处理装置中固定待加工件,其包括:第一绝缘层;电极,位于所述第一绝缘层之中,用于连接一可控直流电源以产生静电力吸附待加工件;第二绝缘层,位于所述第一绝缘层的下方;加热器,设置于所述第二绝缘层内,所述加热器产生的热量加热所述待加工件;基体,位于所述第二绝缘层的下方,用于支撑所述第一绝缘层以及第二绝缘层,所述基体至少包括一冷却液流道,用于注入冷却液对静电卡盘进行冷却;其中,所述基体还包括:一阻热单元,所述阻热单元设置于所述冷却液流道的上部且其上表面与所述第二绝缘层的下表面相贴,所述阻热单元用于降低所述加热器所产生的热量向所述冷却液流道传递的速度。 | ||
搜索关键词: | 一种 静电 卡盘 | ||
【主权项】:
一种静电卡盘,用于等离子体处理装置中固定待加工件,其包括:第一绝缘层,用于承载所述待加工件;电极,位于所述第一绝缘层之中,用于连接一可控直流电源以产生静电力吸附待加工件;第二绝缘层,位于所述第一绝缘层的下方;加热器,设置于所述第二绝缘层内,所述加热器产生的热量能够通过所述第二绝缘层传递至所述第一绝缘层来加热所述待加工件;基体,位于所述第二绝缘层的下方,用于支撑所述第一绝缘层以及第二绝缘层,所述基体至少包括一冷却液流道,用于注入冷却液对静电卡盘进行冷却;其特征在于,所述基体还包括:一阻热单元,所述阻热单元设置于所述冷却液流道的上部且其上表面与所述第二绝缘层的下表面相贴,所述阻热单元用于降低所述加热器所产生的热量向所述冷却液流道传递的速度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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