[发明专利]一种GaN基LED透明电极图形化的制备方法在审
| 申请号： | 201210310976.X | 申请日： | 2012-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN103633196A | 公开（公告）日： | 2014-03-12 |
| 发明（设计）人： | 肖志国;李倩影;武胜利;孙英博;薛念亮;李浩然 | 申请（专利权）人： | 大连美明外延片科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/38 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 116025 *** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 发明提供了一种GaN基LED透明电极图形化的制备方法。在GaN基外延层上蒸镀一层ITO、ZnO或者单层石墨烯透明电极，在透明电极上沉积一层薄SiO2层，利用SiO2在不同温度下退火形成的结晶图形做掩膜，用干法刻蚀刻蚀掉裸露在外的透明电极，再用HF溶液去除SiO2结晶图形得到具有图形化的透明电极。此发明在制备时不仅通过透明电极图形化提高了光提取效率，还降低传统的光刻掩膜工艺成本和耗时。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 gan led 透明 电极 图形 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种GaN基LED透明电极图形化的制备方法，其特征在于其步骤包括：1）在GaN基外延层上蒸镀厚度在1000Å~2000Å的透明电极；2）在透明电极上沉积厚度为10Å~100Å的SiO2层；3）在250~400℃，氮气条件下进行退火5-10分钟，SiO2层结晶形成SiO2图形掩膜；所述图形掩膜的图形包括菱形、梯形、圆形、三角形；4）用干法刻蚀去除裸露在外的透明电极；5）用HF溶液去除SiO2图形掩膜。
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