[发明专利]外延片、其生产方法及超结功率器件有效
| 申请号： | 201210311175.5 | 申请日： | 2012-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN103633119B | 公开（公告）日： | 2017-05-24 |
| 发明（设计）人： | 林志鑫;钟旻远;姚桢 | 申请（专利权）人： | 上海晶盟硅材料有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/20 |
| 代理公司： | 上海脱颖律师事务所31259 | 代理人： | 李强 |
| 地址： | 201707 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种外延片，包括衬底和第一外延层，其特征在于，所述的第一外延层电阻率呈同心圆状分布。本发明中的外延片，电阻率呈同心圆状分布。在沟槽蚀刻并填充外延材料后，电荷分布均匀，不会产生电性失效的问题。使用本发明中的外延片，可以提高超结功率器件的崩溃电压。采用本发明中的外延片，可将超结功率器件的崩溃电压提高50伏特以上。采用非同心圆状分布的外延片生产的超结功率器件的崩溃电压为580伏特；采用本发明中的外延片生产的超结功率器件崩溃电压可增加到630伏特。 | ||
| 搜索关键词： | 外延 生产 方法 功率 器件 | ||
【主权项】：
外延片，包括衬底和第一外延层，其特征在于，所述的第一外延层电阻率呈同心圆状分布；所述第一外延层相同半径处的电阻率非均匀性不超过5％；所述衬底与第一外延层之间设置有单晶硅层。
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