[发明专利]CMOS图像传感器像素感光电路无效
| 申请号： | 201210312403.0 | 申请日： | 2012-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN103633104A | 公开（公告）日： | 2014-03-12 |
| 发明（设计）人： | 徐磊 | 申请（专利权）人： | 常州市耀华仪器有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 常州市夏成专利事务所(普通合伙) 32233 | 代理人： | 沈毅 |
| 地址： | 213000 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 发明涉及CMOS图像传感器技术领域，尤其是一种CMOS图像传感器像素感光电路结构，包括复位晶体管、电源电压、行选择晶体管、放大晶体管、信号输出端，电源电压依次连接复位晶体管、放大晶体管、行选择晶体管和信号输出端，行选择晶体管与复位晶体管相互垂直，与放大晶体管相互平行，复位晶体管和放大晶体管通过电路连线连接，电路连线采用两条多晶硅连线和一条金属线组合而成。两条多层硅连线加一条金属走线的设计减少了布线层数，使介质层变薄，增加了传感器的感光灵敏度。 | ||
| 搜索关键词： | cmos 图像传感器 像素 感光 电路 | ||
【主权项】：
一种CMOS图像传感器像素感光电路，包括复位晶体管(1)、电源电压(2)、行选择晶体管（3）、放大晶体管（5）、信号输出端（4），电源电压（2）依次连接复位晶体管（1）、放大晶体管（5）、行选择晶体管（3）和信号输出端（4），其特征是，行选择晶体管（3）与复位晶体管(1)相互垂直，与放大晶体管（5）相互平行，复位晶体管(1)和放大晶体管(5)通过电路连线（6）连接，电路连线（6）采用两条多晶硅连线和一条金属线组合而成。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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