[发明专利]体电容器和方法无效
| 申请号： | 201210313609.5 | 申请日： | 2009-09-03 |
| 公开（公告）号： | CN102856075A | 公开（公告）日： | 2013-01-02 |
| 发明（设计）人： | R·卡特拉奥;N·科亨;M·克拉夫契克-沃尔夫松;E·别尔莎德斯基;J·巴尔蒂图德 | 申请（专利权）人： | 维莎斯普拉格公司 |
| 主分类号： | H01G9/00 | 分类号： | H01G9/00;H01G9/04;H01G9/07;H01G9/15 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 邬少俊;王英 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种体电容器包括由金属箔形成的第一电极（12）以及形成于金属箔上的半导电多孔陶瓷体（18）。例如通过氧化在多孔陶瓷体上形成电介质层（22）。在多孔陶瓷体上沉积导电介质（16），填充多孔陶瓷体的空隙并形成第二电极。然后可以利用各层封装电容器，且电容器能够包括常规电气端子。一种制造体电容器的方法包括：在由金属箔形成的第一电极上形成导电多孔陶瓷体，氧化以形成电介质层并利用导电介质填充多孔体以形成第二电极。还可以在所述金属箔和所述多孔陶瓷体之间沉积薄的半导电陶瓷层。 | ||
| 搜索关键词： | 电容器 方法 | ||
【主权项】：
一种体电容器，包括：由金属箔形成的第一电极，沉积在所述金属箔上的半导电多孔陶瓷体，形成于所述多孔陶瓷体上的电介质层，以及覆盖所述电介质层的导电介质，所述导电介质填充多孔陶瓷体的至少一部分并且形成第二电极。
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