[发明专利]共模扼流线圈及其制造方法有效
申请号: | 201210313755.8 | 申请日: | 2012-08-29 |
公开(公告)号: | CN102982965A | 公开(公告)日: | 2013-03-20 |
发明(设计)人: | 北村未步;工藤敬实;山本笃史;中村彰宏 | 申请(专利权)人: | 株式会社村田制作所 |
主分类号: | H01F17/00 | 分类号: | H01F17/00;H01F41/00;C04B35/26 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 金世煜;苗堃 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供一种共模扼流线圈,能够有效防止导体线圈间的迁移,且有效防止导体线圈的布线电阻上升和磁性层电阻率降低。是在第1磁性层上层叠有非磁性层和第2磁性层,非磁性层中包含2个对置的导体线圈的共模扼流线圈(10),其中,非磁性层(3)由烧结玻璃陶瓷构成,导体线圈(2、4)由含铜导体构成,第1磁性层(1)和第2磁性层(5)的至少一方由包含Fe2O3、Mn2O3、NiO、ZnO、CuO的烧结铁素体材料构成。该烧结铁素体材料中,CuO换算含量为5mol%以下,并且,Fe2O3换算含量为25~47mol%且Mn2O3换算含量为1~7.5mol%,或Fe2O3换算含量为35~45mol%且Mn2O3换算含量为7.5~10mol%。 | ||
搜索关键词: | 共模扼 流线 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种共模扼流线圈,是在第1磁性层上层叠有非磁性层和第2磁性层,在该非磁性层中包含2个对置的导体线圈的共模扼流线圈,其中,非磁性层由烧结玻璃陶瓷构成,导体线圈由含铜导体构成,第1磁性层和第2磁性层的至少一方由包含Fe2O3、Mn2O3、NiO、ZnO、CuO的烧结铁素体材料构成,该烧结铁素体材料中,CuO换算含量为5mol%以下,以及Fe2O3换算含量为25mol%~47mol%并且Mn2O3换算含量为1mol%以上且低于7.5mol%,或Fe2O3换算含量在35mol%~45mol%且Mn2O3换算含量为7.5mol%~10mol%。
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