[发明专利]高温多晶硅压力传感器无效
| 申请号： | 201210313838.7 | 申请日： | 2012-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN103674354A | 公开（公告）日： | 2014-03-26 |
| 发明（设计）人： | 谢淑颖 | 申请（专利权）人： | 成都达瑞斯科技有限公司 |
| 主分类号： | G01L1/18 | 分类号： | G01L1/18;G01L9/06 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 610000 四川*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高温多晶硅压力传感器，包括壳体、弹性盖、感应片、引出导线、膜片和膜片基座，所述膜片基座分别设置于所述壳体底部的两端，所述膜片的两端分别固定于所述膜片基座上，所述膜片由氮化硅钝化层、纳米多晶硅层、氮化铝绝缘隔膜层和硅单晶层组成，所述纳米多晶硅层位于所述氮化硅钝化层的下表面和所述氮化铝绝缘隔膜层的上表面之间，所述硅单晶层位于所述氮化铝绝缘隔膜层的下表面。采用氮化铝绝缘隔膜层作电绝缘层，将极大地改善器件的导热特性。氮化铝绝缘隔膜层具有热导率高、电阻率大、击穿场强高、化学和热稳定性能好、热膨胀系数与Si相近等优异性能。本发明具有绝缘性能高和耐高温等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 高温 多晶 压力传感器 | ||
【主权项】：
一种高温多晶硅压力传感器，包括壳体、弹性盖、感应片、引出导线、膜片和膜片基座，所述膜片基座分别设置于所述壳体底部的两端，所述膜片的两端分别固定于所述膜片基座上，其特征在于：所述膜片由氮化硅钝化层、纳米多晶硅层、氮化铝绝缘隔膜层和硅单晶层组成，所述纳米多晶硅层位于所述氮化硅钝化层的下表面和所述氮化铝绝缘隔膜层的上表面之间，所述硅单晶层位于所述氮化铝绝缘隔膜层的下表面。
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