[发明专利]一种PIN结构紫外雪崩光电探测器及其制备方法

摘要

本发明公开了一种PIN结构紫外雪崩光电探测器及其制备方法；其利用区域选择生长的p型轻掺杂GaN保护环来减少探测器漏电流，抑制边沿提前击穿，实现稳定的高增益的紫外雪崩光电探测。p型轻掺杂GaN保护环的应用可以减少探测器表面漏电流，降低探测器边缘电场，尤其对p-i结处高电场区有明显改善，从而提高探测器击穿电压，实现高性能的紫外雪崩光电探测器。同时区域选择二次生长技术的应用避免了离子注入的复杂工序和昂贵设备，并可准确控制保护环和有源区的位置。

主权项

一种PIN结构紫外雪崩光电探测器，其特征在于：包括衬底（1），在衬底（1）上生长有缓冲层（2）；在缓冲层（2）上生长有n型三族氮化物AlxInyGa1‑x‑yN层（3），其中， 0≤x≤1，0≤y≤1；所述n型三族氮化物AlxInyGa1‑x‑yN层（3）为n型层；在n型三族氮化物AlxInyGa1‑x‑yN层（3）上生长有非掺杂或低掺杂浓度的三族氮化物AlxInyGa1‑x‑yN层（4），其中， 0≤x≤1，0≤y≤1；非掺杂或低掺杂浓度的三族氮化物AlxInyGa1‑x‑yN层（4）作为i型层；在非掺杂或低掺杂浓度的三族氮化物AlxInyGa1‑x‑yN层（4）上生长有p型三族氮化物AlxInyGa1‑x‑yN层（5），其中，0≤x≤1，0≤y≤1；所述p型三族氮化物AlxInyGa1‑x‑yN层（5）为p型层；在p型三族氮化物AlxInyGa1‑x‑yN层（5）与非掺杂或低掺杂浓度的三族氮化物AlxInyGa1‑x‑yN层（4）的侧面环绕有p型轻掺杂GaN保护环（6）；所述p型三族氮化物AlxInyGa1‑x‑yN层（5）上端面制作有凹形光信号入射窗口（9）,p型三族氮化物AlxInyGa1‑x‑yN层（5）上制作有p型欧姆接触电极（7），所述n型三族氮化物AlxInyGa1‑x‑yN层（3）上还制作有n型欧姆接触电极（8）。