[发明专利]等离子体处理装置在审
| 申请号： | 201210315231.2 | 申请日： | 2012-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN103681300A | 公开（公告）日： | 2014-03-26 |
| 发明（设计）人： | 武小娟 | 申请（专利权）人： | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;H01J37/305;H05H1/30 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 黄德海;宋合成 |
| 地址： | 100176 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种等离子体处理装置，包括：腔体，腔体内限定有反应腔室；介质窗，介质窗设置为反应腔室的顶板；晶圆承载装置，其设置于反应腔室的底部且与介质窗相对；射频线圈，射频线圈放置于介质窗上方，用于在反应腔室内生成等离子体；以及加热器，加热器构造成对介质窗进行均匀加热。根据本发明的等离子体处理装置，在不影响等离子体正常起辉的前提下，可以实现介质窗的快速升温，且在加热器的作用下，使介质窗沿径向方向温度分布更加均匀。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 处理 装置 | ||
【主权项】：
一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：腔体，所述腔体内限定有反应腔室；介质窗，所述介质窗设置为所述反应腔室的顶板；晶圆承载装置，其设置于所述反应腔室的底部且与所述介质窗相对；射频线圈，所述射频线圈放置于所述介质窗上方，用于在反应腔室内生成等离子体；以及加热器，所述加热器构造成对所述介质窗进行均匀加热。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
