[发明专利]基板处理方法及基板处理装置有效
| 申请号： | 201210315446.4 | 申请日： | 2012-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN102969224A | 公开（公告）日： | 2013-03-13 |
| 发明（设计）人： | 桥诘彰夫;赤西勇哉 | 申请（专利权）人： | 大日本网屏制造株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 宋晓宝;郭晓东 |
| 地址： | 日本国京*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 在基板处理装置（1）中，在氧化膜除去部（4）中除去了基板（9）的一个主面上的硅氧化膜之后，在硅烷化处理部（6）中，供给硅烷化材料来对该主面进行硅烷化处理。由此，能够延长从除去硅氧化膜之后到形成硅锗膜为止的Q时间，并且能够降低形成硅锗膜时的预烘烤温度。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 方法 装置 | ||
【主权项】：
一种基板处理方法，作为在硅基板上形成硅锗膜之前的工序对所述硅基板进行处理，其特征在于，包括：a）除去硅基板的一个主面上的硅氧化膜的工序；b）供给硅烷化材料来对所述主面进行硅烷化处理的工序。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
