[发明专利]三维偏置印录存储器

摘要

本发明提出一种三维偏置印录存储器（3D-oP）。与常规的三维掩膜编程只读存储器（3D-MPROM）相比，其所需的数据掩膜版的数量较少，故其掩膜版成本较低。对应于不同存储层/数码位的掩膜图形被合并到一多区域数据掩膜版上。在不同的印录步骤中，晶圆相对于该多区域数据掩膜版的偏置量不同。因此，来自同一数据掩膜版的数据图形被印录到不同存储层/数码位的数据录入膜中。

主权项

一种三维偏置印录存储器，其特征在于包括：一半导体衬底；多个堆叠在该衬底上并与之耦合的存储层，所述多个存储层相互堆叠，每个存储层含有至少一层数据录入膜，该数据录入膜中的图形代表一数码阵列；一可设置输入/输出，该可设置输入/输出根据该存储器中数码阵列序列来设置该存储器的输入/输出。