[发明专利]一种镍热敏薄膜电阻加工方法

摘要

本发明公开了一种镍热敏薄膜电阻加工方法，属于微机电系统技术领域。该方法以普通硅片作为基片，在硅片的抛光面生长底层SiO2膜或Si3N4膜，而后依次溅射镍膜、铜膜和金属膜，腐蚀后形成金属锚点、铜连接层、镍丝热敏电阻；热处理和划片后得到以SiO2膜或Si3N4膜为隔热层的镍热敏电阻。本发明有益效果为：1.相比于聚酰亚胺做热敏电阻隔热层，SiO2膜或Si3N4膜做隔热层在热处理时可以加温至1000度以上，更加有效的改善镍的结晶结构；2.基于标准MEMS工艺加工镍热敏电阻，易于实现大批量生产；3.在镍膜与金属膜中间溅射一层铜膜，刻蚀顺序为金属膜、铜膜、镍膜，可以防止刻蚀金属膜时对镍膜进行刻蚀；4.铜膜上溅射金属膜，增加电连接。

主权项

一种镍热敏薄膜电阻加工方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1：清洗普通硅片，去除表面原生氧化层、有机物污染，然后干燥；步骤2：以普通硅片作为基片，在硅片的抛光面生长底层SiO2膜或Si3N4膜；步骤3：在SiO2膜或Si3N4膜表面上溅射镍膜；步骤4：在镍膜表面上溅射铜膜；步骤5：在铜膜表面上溅射金属膜，所述金属膜电阻率ρ1与镍膜电阻率ρ2满足： ρ 1 ≤ ρ 2 5 ; 步骤6：旋涂光刻胶，对金属膜进行光刻、显影，湿法腐蚀金属膜，形成金属锚点；步骤7：继续腐蚀铜膜，形成铜连接层，去除光刻胶；步骤8：旋涂光刻胶，对镍膜进行光刻、显影，对镍膜进行腐蚀，去除光刻胶，形成镍丝热敏电阻；划片，得到以SiO2膜或Si3N4膜为隔热层的镍热敏电阻。