[发明专利]成像器件、成像装置、制造装置及制造方法有效
| 申请号： | 201210315843.1 | 申请日： | 2012-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN102983143A | 公开（公告）日： | 2013-03-20 |
| 发明（设计）人： | 大木进 | 申请（专利权）人： | 索尼公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 黄小临 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种成像器件，包括：多个光电转换器件层，其中形成有执行入射光的光电转换的光电转换器件；以及夹在相应的光电转换器件层之间的布线层，其中形成有用于从光电转换器件中读取电荷的布线。 | ||
| 搜索关键词： | 成像 器件 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种成像器件，包括：多个光电转换器件层，其中形成有执行入射光的光电转换的光电转换器件；以及夹在相应的光电转换器件层之间的布线层，其中形成有用于从光电转换器件中读取电荷的布线。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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