[发明专利]一种石英舟清洗和饱和处理方法有效
| 申请号： | 201210315992.8 | 申请日： | 2012-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN102881620A | 公开（公告）日： | 2013-01-16 |
| 发明（设计）人： | 吴艳芬;詹国平;刘伟;陈筑;刘晓巍;蔡二辉 | 申请（专利权）人： | 宁波尤利卡太阳能科技发展有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/673 | 分类号： | H01L21/673;B08B3/08;B08B3/02;F26B21/00 |
| 代理公司： | 宁波市鄞州甬致专利代理事务所(普通合伙) 33228 | 代理人： | 代忠炯 |
| 地址： | 315177 浙江省宁*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种石英舟清洗和饱和处理方法，具体步骤：石英舟的清洗，将石英舟放入浓度为10%～25%的氢氟酸进行浸泡40min～120min后，放入喷淋槽用纯水喷淋，喷淋时间为20min～90min；干燥，用气体干燥剂吹干石英舟；石英舟的饱和，将石英舟放入炉温为800℃～900℃的管式扩散炉中，通入氧气和流量为1000～3000ml/min三氯氧磷液态源，其中氧气和三氯氧磷液态源的流量比为1:1～5；最后用10～30L/min的氮气或者氧气冷却石英舟。其优点：经过清洗后石英舟上的硅粉松动，再放入喷淋槽中喷淋，使得松动的硅粉完全清除，再通过大流量的三氯氧磷液态源和氧气饱和，使得存在‘死角’的石英舟卡槽充分吸收磷原子，硅片上不会产生卡槽印，提高电池片的合格率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 石英 清洗 饱和 处理 方法 | ||
【主权项】：
一种石英舟清洗和饱和处理方法，其特征在于，包括以下步骤：石英舟的清洗：将石英舟放入浓度为10%～25%的氢氟酸进行浸泡40min～120min后，放入喷淋槽用纯水喷淋，喷淋时间为20min～90min；清洗后的干燥：用气体干燥剂吹干石英舟； 石英舟的饱和：将石英舟放入炉温为800℃～900℃的管式扩散炉中，通入氧气和流量为1000～3000ml/min三氯氧磷液态源，其中氧气和三氯氧磷液态源的流量比为1:1～5； 最后用10～30L/min的氮气或者氧气冷却石英舟。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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