[发明专利]晶片的分割方法

摘要

本发明提供晶片的分割方法，在通过照射激光光线而在晶片的内部形成改质层，以改质层为起点将晶片分割成各个器件时，不使器件的品质和抗折强度下降。将相对于晶片（W）具有透过性的波长的激光光线（31a）会聚到分割预定线（L）的内部来形成从晶片（W）的表面侧到背面侧的改质层（R2），将蚀刻气体或蚀刻液供给到晶片（W），使改质层（R2）侵蚀而将晶片（W）分割成各个器件。通过蚀刻使改质层侵蚀，从而由于改质层不会粉碎，因此能够不产生细粉末来分割成器件，由于不会使细粉末附着在器件的表面而使器件的品质下降，并且通过蚀刻来去除改质层，因此能够防止由改质层的残留引起的器件的抗折强度的下降。

主权项

一种晶片的分割方法，将由分割预定线划分而在表面上形成有多个器件的晶片分割成各个器件，该晶片的分割方法包括：改质层形成步骤，将相对于晶片具有透过性的波长的激光光线的聚光点定位到分割预定线的内部来进行照射，在沿着该分割预定线的晶片的内部，形成从该晶片的表面附近到背面附近的改质层；以及蚀刻步骤，将蚀刻气体或蚀刻液供给到该晶片，使该改质层侵蚀而将该晶片分割成各个器件。