[发明专利]制造薄膜晶体管的方法和制造有机发光显示设备的方法

摘要

制造薄膜晶体管的方法和制造有机发光显示设备的方法。薄膜晶体管制造方法允许在与半导体图案相对的绝缘、传导层、金属膜的三层上形成第一光刻胶图案。在通过第一离子注入工序形成源区域和漏区域之前，通过蚀刻工序形成第一金属图案和传导图案。从第一光刻胶图案得到具有比第一光刻胶图案的宽度更窄的宽度的第二光刻胶图案。第一金属图案被重形成为具有比第二光刻胶图案的宽度更窄的第二金属图案。进行包括去除第二光刻胶图案、在所述半导体图案中形成轻掺杂漏LDD区域以及在所述半导体图案中形成栅交叠轻掺杂漏GOLDD区域的处理；在第二绝缘膜上形成源极和漏极之前形成第二绝缘膜。

主权项

一种制造薄膜晶体管的方法，所述方法包括：在基板上形成半导体图案；在包括所述半导体图案的所述基板上形成第一绝缘膜、传导膜和金属膜；在所述金属膜上形成第一光刻胶图案，所述第一光刻胶图案具有比所述半导体图案的宽度更窄的宽度；通过使用所述第一光刻胶图案作为掩模蚀刻所述金属膜和所述传导膜来形成第一金属图案和传导图案；通过使用所述第一光刻胶图案作为掩模进行第一离子注入工序在所述半导体图案中形成源区域和漏区域；通过灰化工序从所述第一光刻胶图案形成第二光刻胶图案，所述第二光刻胶图案具有比所述第一光刻胶图案的宽度更窄的宽度；通过使用所述第二光刻胶图案作为掩模蚀刻所述第一金属图案来形成第二金属图案，其中所述第二金属图案具有比所述第二光刻胶图案的宽度更窄的宽度，并且所述第二金属图案和所述传导图案形成栅极；进行包括去除所述第二光刻胶图案、在所述半导体图案中形成轻掺杂漏LDD区域以及在所述半导体图案中形成栅交叠轻掺杂漏GOLDD区域的处理；在包括所述栅极的所述基板上形成第二绝缘膜；以及在所述第二绝缘膜上形成分别电连接到所述源区域和漏区域的源极和漏极。