[发明专利]高频内匹配功率器件的封装方法有效
| 申请号： | 201210319726.2 | 申请日： | 2012-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN102832145A | 公开（公告）日： | 2012-12-19 |
| 发明（设计）人： | 罗卫军;陈晓娟;杨成樾;刘新宇 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H01L21/50 |
| 代理公司： | 北京市德权律师事务所 11302 | 代理人： | 刘丽君 |
| 地址： | 100029 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 公开了一种高频内匹配功率器件的封装方法，包括：将内匹配电路通过金锗合金共晶在管壳内；将功率器件和输入输出匹配电容通过金锡合金共晶在管壳内；将功率器件、输入输出匹配电容及内匹配电路通过金丝电学互连；将内匹配电路和管壳管脚通过金带电学互连。本发明提供的一种高频内匹配功率器件的封装方法，采用两级LCL输入匹配的封装方式，降低了输入匹配电路的Q值，从而增大了内匹配功率器件的带宽、增益和输出功率，此外，本发明分别采用金锡、金锗将高频功率器件、陶瓷电容和匹配电路共晶在管壳内，保证了物理连接的牢固性，并增加了功率器件的热导率。 | ||
| 搜索关键词： | 高频 匹配 功率 器件 封装 方法 | ||
【主权项】：
一种高频内匹配功率器件的封装方法，其特征在于，包括：将内匹配电路通过金锗合金共晶在管壳内；将功率器件和输入输出匹配电容通过金锡合金共晶在管壳内；将功率器件、输入输出匹配电容及内匹配电路通过金丝电学互连；将内匹配电路和管壳管脚通过金带电学互连。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
