[发明专利]多晶硅还原生产装置及方法有效
| 申请号： | 201210320361.5 | 申请日： | 2012-09-03 |
| 公开（公告）号： | CN102786056A | 公开（公告）日： | 2012-11-21 |
| 发明（设计）人： | 齐林喜;王晓亮 | 申请（专利权）人： | 内蒙古盾安光伏科技有限公司 |
| 主分类号： | C01B33/035 | 分类号： | C01B33/035 |
| 代理公司： | 北京智汇东方知识产权代理事务所(普通合伙) 11391 | 代理人： | 张群峰;范晓斌 |
| 地址： | 015543 内蒙古自*** | 国省代码： | 内蒙古;15 |
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| 摘要： | 多晶硅还原生产装置及方法。一种多晶硅还原生产方法，包括：将第一路高纯三氯氢硅气体与高纯氢气混合均匀后送入第一还原炉发生还原反应，排出包括三氯氢硅、氢气、四氯化硅以及氯化氢的一级尾气，通过冷凝分离出一级尾气中的四氯化硅，剩余一级尾气作为多晶硅生产的还原气体原料。本发明能够减少在多晶硅生产中的能耗，降低生产成本；同时还有利于提高多晶硅产品的质量。 | ||
| 搜索关键词： | 多晶 还原 生产 装置 方法 | ||
【主权项】：
一种多晶硅还原生产方法，包括：将第一路高纯三氯氢硅气体与高纯氢气混合均匀后送入第一还原炉发生还原反应，排出包括三氯氢硅、氢气、四氯化硅以及氯化氢的一级尾气，通过冷凝分离出一级尾气中的四氯化硅，剩余一级尾气作为多晶硅生产的还原气体原料。
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