[发明专利]半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 201210320663.2 | 申请日： | 2012-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN102969348A | 公开（公告）日： | 2013-03-13 |
| 发明（设计）人： | 黄性震;辛东善;皮昇浩;金旻秀 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L27/115;H01L21/28;H01L21/8247 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人： | 石卓琼;俞波 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种半导体器件及其制造方法，根据本发明的一个实施例的半导体器件包括：垂直沟道层，所述垂直沟道层从半导体衬底向上突出；隧道绝缘层，所述隧道绝缘层覆盖垂直沟道层的侧壁；多个浮栅，所述多个浮栅彼此分开并沿着垂直沟道层彼此层叠，并且包围垂直沟道层，所述多个浮栅与所述垂直沟道层之间插入有所述隧道绝缘层；多个控制栅，所述多个控制栅分别封闭所述多个浮栅；以及层间绝缘层，所述层间绝缘层被布置在所述多个控制栅之间。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：垂直沟道层，所述垂直沟道层从半导体衬底向上突出；隧道绝缘层，所述隧道绝缘层覆盖所述垂直沟道层的侧壁；多个浮栅，所述多个浮栅彼此分开并沿着所述垂直沟道层彼此层叠，并且包围所述垂直沟道层，在所述多个浮栅与所述垂直沟道层之间插入有所述隧道绝缘层；多个控制栅，所述多个控制栅分别封闭所述多个浮栅；以及层间绝缘层，所述层间绝缘层被布置在所述多个控制栅之间。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于爱思开海力士有限公司，未经爱思开海力士有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210320663.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
