[发明专利]半导体集成电路和保护电路无效
申请号: | 201210321254.4 | 申请日: | 2012-09-03 |
公开(公告)号: | CN102969310A | 公开(公告)日: | 2013-03-13 |
发明(设计)人: | 深作克彦 | 申请(专利权)人: | 索尼公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 黄小临 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 在此披露的是一种半导体集成电路,包括:具有分别连接到电源配线和接地配线的漏极区和源极区,并且引发激增电流流过漏极区和源极区之间的通道路径和双极路径的箝位MOS晶体管;被配置为提供于电源配线和接地配线之间,其输出端连接到箝位MOS晶体管的栅极端,并且控制通道路径的开关的第一触发电路部分;被配置为提供于电源配线和接地配线之间,其输出端连接到箝位MOS晶体管的阱区,并且控制双极路径的开关的第二触发电路部分;以及连接电源配线和接地配线的每个的内部电路。 | ||
搜索关键词: | 半导体 集成电路 保护 电路 | ||
【主权项】:
一种半导体集成电路,包括:箝位MOS晶体管,具有分别连接到电源配线和接地配线的漏极区和源极区,并且引发激增电流流过所述漏极区和所述源极区之间的通道路径和双极路径;第一触发电路部分,被配置为提供于所述电源配线和所述接地配线之间,其输出端连接到所述箝位MOS晶体管的栅极端,并且控制所述箝位MOS晶体管中所述通道路径的开关;第二触发电路部分,被配置为提供于所述电源配线和所述接地配线之间,其输出端连接到所述箝位MOS晶体管的阱区,并且控制所述箝位MOS晶体管中所述双极路径的开关;以及内部电路,连接到所述电源配线和所述接地配线的每个。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的