[发明专利]半导体集成电路和保护电路无效

专利信息
申请号: 201210321254.4 申请日: 2012-09-03
公开(公告)号: CN102969310A 公开(公告)日: 2013-03-13
发明(设计)人: 深作克彦 申请(专利权)人: 索尼公司
主分类号: H01L27/02 分类号: H01L27/02
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 黄小临
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 在此披露的是一种半导体集成电路,包括:具有分别连接到电源配线和接地配线的漏极区和源极区,并且引发激增电流流过漏极区和源极区之间的通道路径和双极路径的箝位MOS晶体管;被配置为提供于电源配线和接地配线之间,其输出端连接到箝位MOS晶体管的栅极端,并且控制通道路径的开关的第一触发电路部分;被配置为提供于电源配线和接地配线之间,其输出端连接到箝位MOS晶体管的阱区,并且控制双极路径的开关的第二触发电路部分;以及连接电源配线和接地配线的每个的内部电路。
搜索关键词: 半导体 集成电路 保护 电路
【主权项】:
一种半导体集成电路,包括:箝位MOS晶体管,具有分别连接到电源配线和接地配线的漏极区和源极区,并且引发激增电流流过所述漏极区和所述源极区之间的通道路径和双极路径;第一触发电路部分,被配置为提供于所述电源配线和所述接地配线之间,其输出端连接到所述箝位MOS晶体管的栅极端,并且控制所述箝位MOS晶体管中所述通道路径的开关;第二触发电路部分,被配置为提供于所述电源配线和所述接地配线之间,其输出端连接到所述箝位MOS晶体管的阱区,并且控制所述箝位MOS晶体管中所述双极路径的开关;以及内部电路,连接到所述电源配线和所述接地配线的每个。
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