[发明专利]化学气相沉积装置及化学气相沉积方法有效
| 申请号： | 201210321804.2 | 申请日： | 2012-09-03 |
| 公开（公告）号： | CN102851651A | 公开（公告）日： | 2013-01-02 |
| 发明（设计）人： | 刘恒 | 申请（专利权）人： | 绿种子材料科技股份有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/455 | 分类号： | C23C16/455 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 梁挥;鲍俊萍 |
| 地址： | 中国台湾台北市信*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种化学气相沉积系统及方法，该系统包括第一进气口、第二进气口、第一管路分支部及第二管路分支部，第一进气口及第二进气口位于一供气装置上，第一管路分支部提供一气体至第一进气口及/或第二进气口，第一管路分支部所提供的气体以一第一流量流向第一进气口及/或以一第二流量流向第二进气口，第二管路分支部提供一气体至第一进气口及/或第二进气口，第二管路分支部所提供的气体以至少一第三流量流向第一进气口及/或第二进气口。 | ||
| 搜索关键词： | 化学 沉积 装置 方法 | ||
【主权项】：
一种化学气相沉积系统，其特征在于，包括：一供气装置；一或多个第一进气口，位于该供气装置上；一或多个第二进气口，位于该供气装置上；一第一管路分支部，连接至该第一进气口及/或该第二进气口，其中该第一管路分支部于使用期间提供至少一气体至该第一进气口及/或该第二进气口，其中该第一管路分支部以一第一流量提供该至少一气体至该第一进气口及/或以一第二流量提供该至少一气体至该第二进气口；以及一第二管路分支部，连接至该第一进气口及/或该第二进气口，其中该第二管路分支部于使用期间将提供至少一气体至该第一进气口及/或该第二进气口，其中该第二管路分支部以至少一第三流量提供该至少一气体至该第一进气口及/或该第二进气口。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
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C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
