[发明专利]半导体装置及其制造方法无效
| 申请号： | 201210321805.7 | 申请日： | 2012-09-03 |
| 公开（公告）号： | CN103367405A | 公开（公告）日： | 2013-10-23 |
| 发明（设计）人： | 有吉惠子;铃木拓马;河野洋志;四户孝 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/78;H01L21/28;H01L21/336 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 舒雄文;王英 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体装置及其制造方法。根据一个实施例，半导体装置包括第一、第二、第三和第四半导体区、控制电极、浮动电极和绝缘膜。第一区包含碳化硅。第二区设置在第一区上且包含碳化硅。第三区设置在第二区上且包含碳化硅。第四区设置在第三区上且包含碳化硅。控制电极设置在第四区、第三区和第二区中所形成的沟槽中。浮动电极设置在控制电极与沟槽的底表面之间。绝缘膜设置在沟槽与控制电极之间、沟槽与浮动电极之间以及控制电极与浮动电极之间。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，包括：第一半导体区，包含碳化硅；第二半导体区，设置在所述第一半导体区上，所述第二半导体区包含第一导电类型的碳化硅；第三半导体区，设置在所述第二半导体区上，所述第三半导体区包含第二导电类型的碳化硅；第四半导体区，设置在所述第三半导体区上，所述第四半导体区包含第一导电类型的碳化硅；控制电极，设置在沟槽中，所述沟槽形成在所述第四半导体区、所述第三半导体区和所述第二半导体区中；浮动电极，设置在所述控制电极与所述沟槽的底表面之间；以及绝缘膜，设置在所述沟槽与所述控制电极之间、所述沟槽与所述浮动电极之间以及所述控制电极与所述浮动电极之间。
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