[发明专利]一种多晶铸锭炉及用其生长类单晶硅锭的方法

摘要

本发明提供了一种用多晶铸锭炉生长类单晶硅锭的方法，包括：将单晶铺设于坩埚底部，并在上面添加硅料及根据目标电阻率相配合的合金，将装有以上硅料的坩埚装入多晶铸锭炉内；将所述多晶铸锭炉抽真空，加热并监测炉内的温度，当加热到规定温度时，充入氩气；当传感器探测到籽晶熔化到规定深度时，按预置温度降温至长晶温度；按照预先设定的温度及隔热笼的开启程度来控制长晶速度，直至类单晶硅锭长成；保持一定温度一定时间后进行降温，冷却结束后，硅锭出炉。上述方法利用现有的多晶铸锭炉实现了类单晶硅锭生产，提高了生产效率，降低了生产成本，提高了硅锭和硅片的平均质量。本发明还提供了一种生产类单晶硅锭的多晶铸锭炉。

主权项

一种用多晶铸锭炉生长类单晶硅锭的方法，其特征在于，包括：1)将单晶籽晶紧密并均匀地铺设于坩埚底部，且所述单晶籽晶在水平方向的晶向一致，并在上面添加足量硅料及根据目标电阻率相配合的合金，将装有以上硅料的坩埚装入多晶铸锭炉内；2)将所述多晶铸锭炉抽真空，开始加热并监测炉内的温度，当加热到规定温度1175‑1550℃之间时，向所述多晶铸锭炉充入氩气；3)当传感器探测到籽晶熔化到规定深度时，按预置温度降温至长晶温度1420‑1480℃之间；4)按照预先设定的温度及隔热笼的开启程度来控制长晶速度，同时打开所述容器四周的绝热体，并通过所述容器四周的水冷系统对所述容器进行冷却，形成垂直于容器底部的温度梯度，直至类单晶硅锭长成；5)降温至400℃以内，冷却结束后，硅锭出炉。