[发明专利]显示装置及显示装置的制造方法有效
申请号: | 201210322625.0 | 申请日: | 2012-08-30 |
公开(公告)号: | CN102969338A | 公开(公告)日: | 2013-03-13 |
发明(设计)人: | 野田刚史;河村哲史 | 申请(专利权)人: | 株式会社日本显示器东 |
主分类号: | H01L29/06 | 分类号: | H01L29/06;H01L29/786;H01L21/336;G02F1/1368 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 杨宏军 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明涉及一种显示装置,包括薄膜晶体管,所述薄膜晶体管包括:栅极电极;覆盖栅极电极且包含绝缘物质的栅极绝缘层;与所述栅极绝缘层的上表面接触的氧化物半导体膜;分别与位于所述氧化物半导体膜的上表面且相互分离的第一区域和第二区域接触的源极电极及漏极电极;与所述第一区域和所述第二区域之间的第三区域接触且包含所述绝缘物质的沟道保护膜。俯视观察时,与所述栅极电极重叠的所述氧化物半导体膜的上表面的区域被包含于第三区域且很小,所述氧化物半导体膜中除了与所述栅极电极重叠的部分的一部分以外的部分的电阻比与所述栅极电极重叠的部分低。 | ||
搜索关键词: | 显示装置 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种显示装置,具有绝缘衬底和形成在所述绝缘衬底的上方的薄膜晶体管,其特征在于,所述薄膜晶体管包括:设有栅极电极的导电层;栅极绝缘层,被设置在所述导电层的上方且包含绝缘物质;氧化物半导体膜,与所述栅极绝缘层的上表面接触,并且被设置在所述栅极电极的上方;源极电极,与位于所述氧化物半导体膜的上表面的第一区域接触;漏极电极,与位于所述氧化物半导体膜的上表面、且同所述第一区域分离的第二区域接触;及沟道保护膜,与所述氧化物半导体的上表面的所述第一区域和所述第二区域之间的第三区域接触且包含所述绝缘物质,俯视观察时,所述氧化物半导体膜与所述栅极电极重叠的重叠部分是所述氧化物半导体膜与所述沟道保护膜重叠的重叠部分的一部分,所述氧化物半导体膜中的除了与所述栅极电极重叠的重叠部分中的一部分以外的部分的电阻比与所述栅极电极重叠的重叠部分中的所述一部分的电阻低。
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