[发明专利]提高闪存芯片存储单元利用率的方法、装置和系统无效

专利信息
申请号: 201210322778.5 申请日: 2012-09-04
公开(公告)号: CN102915261A 公开(公告)日: 2013-02-06
发明(设计)人: 张彤;邹粤林 申请(专利权)人: 邹粤林
主分类号: G06F11/08 分类号: G06F11/08;G06F12/02
代理公司: 广州市红荔专利代理有限公司 44214 代理人: 李彦孚
地址: 中国广东省广州*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明公开一种利用数据可压缩性提高闪存芯片存储单元利用率的方法、装置及系统。本发明的固态存储系统控制器包括:数据无损压缩模块,对所收到的用户数据进行无损压缩操作以减小数据量;存储单元块“编程/擦除”次数记录模块,用于实时记录所有闪存芯片中所有存储单元块经历过的“编程/擦除”次数;闪存页面缺陷信息存储单元个数跟踪模块,实时跟踪并记录每一闪存页面内所含的缺陷信息存储单元个数;闪存页面选择模块,用于决定将当前用户数据写入哪一个闪存物理页面;纠错码编码选择模块,选择纠错码编码方式。本发明可有效利用数据本身的可压缩性来容忍缺陷信息存储单元,使固态存储系统最充分地使用所有闪存芯片存储单元以延长使用寿命。
搜索关键词: 提高 闪存 芯片 存储 单元 利用率 方法 装置 系统
【主权项】:
一种提高闪存芯片存储单元利用率的方法,其特征在于包括步骤:对所收到的用户数据进行无损压缩操作;实时记录所有闪存芯片中所有存储单元块经历过的“编程/擦除”次数;实时跟踪并记录每一闪存页面内所含的缺陷信息存储单元个数;根据所记录的每一闪存页面内所含的缺陷信息存储单元个数决定将当前用户数据写入哪一个闪存物理页面;根据数据无损压缩结果选择相应的纠错码编码方式。
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