[发明专利]一种正方形硅纳米孔阵列的制备方法有效
| 申请号： | 201210322845.3 | 申请日： | 2012-09-04 |
| 公开（公告）号： | CN102856434A | 公开（公告）日： | 2013-01-02 |
| 发明（设计）人： | 丁建宁;张福庆;袁宁一;程广贵;王秀琴;凌智勇;张忠强 | 申请（专利权）人： | 江苏大学 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;C30B33/10 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人： | 楼高潮 |
| 地址： | 212013 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及硅纳米孔阵列，特指一种单面或双面正方形硅纳米孔阵列的制备方法。本发明在较低温度条件下，利用溶液的腐蚀性和金属粒子催化性相结合，在硅表面进行刻蚀得到方形硅纳米孔阵列。具体包括硅表面清洗的步骤、氢钝化硅片表面的步骤、正方形硅纳米孔阵列的制备步骤和多余银纳米颗粒去除的步骤，其特征在于：所述正方形硅纳米孔阵列的制备步骤为：在室温暗室环境下，将已经氢钝化表面的硅片放入到三号腐蚀液中刻蚀10~60min，处理好后用去离子水反复冲洗硅片的两个表面；所述三号溶液为HF酸和AgNO3的混合溶液，其中每升混合溶液中含有的HF酸为2.4~5mol，每升混合溶液中含有的AgNO3为0.01~0.05mol。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 正方形 纳米 阵列 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种正方形硅纳米孔阵列的制备方法，包括硅表面清洗的步骤、氢钝化硅片表面的步骤、正方形硅纳米孔阵列的制备步骤和多余银纳米颗粒去除的步骤，其特征在于：所述正方形硅纳米孔阵列的制备步骤为：在室温暗室环境下，将已经氢钝化表面的硅片放入到三号腐蚀液中刻蚀10 ~ 60 min，处理好后用去离子水反复冲洗硅片的两个表面；所述三号溶液为HF酸和AgNO3的混合溶液，其中每升混合溶液中含有的HF酸为2.4 ~ 5 mol，每升混合溶液中含有的AgNO3为0.01 ~ 0.05 mol。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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