[发明专利]隔离沟槽制造方法及发光装置无效
| 申请号： | 201210323639.4 | 申请日： | 2012-09-04 |
| 公开（公告）号： | CN103515287A | 公开（公告）日： | 2014-01-15 |
| 发明（设计）人： | 徐智魁;陈源泽;李学麟 | 申请（专利权）人： | 奇力光电科技股份有限公司;佛山市奇明光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L27/15 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种隔离沟槽制造方法及发光装置，该半导体结构的隔离沟槽制造方法，半导体结构具有一外延结构设置于一外延基板上，隔离沟槽的制造方法包括：形成一第一凹槽于外延结构；设置一第一硬涂层于外延结构上表面及第一凹槽的内表面，其中位于外延结构上表面的第一硬涂层的厚度大于位于第一凹槽底面的第一硬涂层的厚度；以及蚀刻位于第一凹槽底面的第一硬涂层，并于第一凹槽的底面形成一第二凹槽。本发明也揭露一种具有上述隔离沟槽的发光装置。 | ||
| 搜索关键词： | 隔离 沟槽 制造 方法 发光 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体结构的隔离沟槽制造方法，该半导体结构具有外延结构，设置于一外延基板上，该隔离沟槽的制造方法包括下列步骤：形成一第一凹槽于该外延结构；设置一第一硬涂层于该外延结构上表面及该第一凹槽的内表面，其中，位于该外延结构上表面的该第一硬涂层的厚度大于位于该第一凹槽底面的该第一硬涂层的厚度；以及蚀刻位于该第一凹槽底面的该第一硬涂层，并于该第一凹槽的底面形成一第二凹槽。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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