[发明专利]聚二甲基硅氧烷表面区域选择性纳米结构的修饰方法无效

专利信息
申请号: 201210323646.4 申请日: 2012-09-04
公开(公告)号: CN102827383A 公开(公告)日: 2012-12-19
发明(设计)人: 王敏;胡媛媛;李珏瑜 申请(专利权)人: 浙江大学
主分类号: C08J5/00 分类号: C08J5/00;C08L83/04
代理公司: 杭州中成专利事务所有限公司 33212 代理人: 唐银益
地址: 310027 浙*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明涉及一种在阳极氧化铝模板法中对高纯铝片表面的区域选择性保护,实现聚二甲基硅氧烷表面区域选择性纳米结构的修饰的方法。在铝片表面涂覆指甲油,在特定区域电解形成纳米结构,制成区域选择性保护的阳极氧化铝模板,将聚二甲基硅氧烷浇注到阳极氧化铝模板上,加热固化、脱膜,从而实现在聚二甲基硅氧烷表面纳米结构的区域选择性修饰的方法。本发明的制作步骤简单,所用试剂便宜、易得,特别是指甲油的使用,涂覆容易,易用丙酮清洗,不会破坏阳极氧化铝模板,在一般实验室即可实现。
搜索关键词: 聚二甲基硅氧烷 表面 区域 选择性 纳米 结构 修饰 方法
【主权项】:
一种聚二甲基硅氧烷表面区域选择性纳米结构的修饰方法,其特征在于,在铝片表面涂覆指甲油,在特定区域电解形成纳米结构,制成区域选择性保护的阳极氧化铝模板,将聚二甲基硅氧烷浇注到阳极氧化铝模板上,加热固化、脱膜,从而实现在聚二甲基硅氧烷表面纳米结构的区域选择性修饰的方法。
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