[发明专利]像素结构及像素结构的制作方法

摘要

本发明公开了一种像素结构及其制造方法。像素结构包括一主动组件、一栅绝缘层、一介电绝缘层、一电容电极、一保护层以及一像素电极。主动元件包括一栅极、一半导体通道层、一源极以及一汲极。介电绝缘层覆盖住半导体通道层，其中介电绝缘层的介电系数高于栅绝缘层的介电系数。电容电极重迭于漏极以使电容电极、漏极以及夹于两者间的介电绝缘层构成一储存电容结构。保护层配置于介电绝缘层上并且电容电极位于保护层与介电绝缘层之间。像素电极配置于保护层上并连接于主动元件的漏极。本发明的像素结构不需大面积的电容电极就具有足够的储存电容值，而有助于提升像素结构的显示开口率。

主权项

一种像素结构，配置于一基板上，其特征在于，该像素结构包括：一主动元件，包括一栅极、一半导体通道层、一源极以及一漏极，该源极与该漏极在该栅极上方相隔一间距使该栅极具有至少一部分不重迭于该源极以及该漏极，该半导体信道层至少配置于该间距中；一栅绝缘层，位于该栅极与该半导体通道层之间，且该源极以及该漏极位于该栅绝缘层与该半导体通道层之间；一介电绝缘层，配置于该基板上，覆盖住该半导体通道层，其中该介电绝缘层的介电系数高于该栅绝缘层的介电系数；一电容电极，配置于该介电绝缘层上，且该电容电极重迭于该漏极以使该电容电极、该漏极以及夹于两者间的该介电绝缘层构成一储存电容结构；一保护层，配置于该介电绝缘层上并且该电容电极位于该保护层与该介电绝缘层中；以及一像素电极，配置于该保护层上并连接于该主动元件的该漏极。