[发明专利]硅片的抛光方法无效
| 申请号： | 201210323897.2 | 申请日： | 2012-09-05 |
| 公开（公告）号： | CN103668468A | 公开（公告）日： | 2014-03-26 |
| 发明（设计）人： | 邹帅;王栩生;章灵军 | 申请（专利权）人： | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;阿特斯（中国）投资有限公司 |
| 主分类号： | C30B33/12 | 分类号： | C30B33/12;C23F4/00;H01L21/02;H01L31/18 |
| 代理公司： | 苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙) 32235 | 代理人： | 杨林洁 |
| 地址： | 215129 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种硅片的抛光方法。所述抛光方法包括以下步骤：S1，将硅片置于一等离子体发生装置中的基片架上；其中所述基片架周围设有用以提供一垂直于所述基片架表面的约束磁场的磁线圈或磁钢；S2，向所述等离子体发生装置中通入反应气体；S3，开启等离子体发生装置中的激发电源，反应气体经激发形成等离子体；S4，等离子体在所述磁线圈或磁钢产生的约束磁场的作用下对所述硅片进行刻蚀抛光。本发明所述抛光方法不但可减少环境污染，而且抛光效果较好。 | ||
| 搜索关键词： | 硅片 抛光 方法 | ||
【主权项】：
一种硅片的抛光方法，其特征在于：所述抛光方法包括以下步骤：S1，将硅片置于一等离子体发生装置中的基片架上；其中所述基片架周围设有用以提供一垂直于所述基片架表面的约束磁场的磁线圈或磁钢；S2，向所述等离子体发生装置中通入反应气体；S3，开启等离子体发生装置中的激发电源，反应气体经激发形成等离子体；S4，等离子体在所述磁线圈或磁钢产生的约束磁场的作用下对所述硅片进行刻蚀抛光。
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