[发明专利]一种半导体器件结构及其制作方法有效
| 申请号： | 201210324133.5 | 申请日： | 2012-09-04 |
| 公开（公告）号： | CN103681271A | 公开（公告）日： | 2014-03-26 |
| 发明（设计）人： | 曹国豪;蒲贤勇;杨广立;汪铭 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/8238;H01L29/423;H01L27/092 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种用于制作半导体器件结构的方法，包括：提供衬底，衬底包括有源区和隔离区，在衬底上形成有位于有源区上方的第一栅极结构和位于隔离区上方的作为虚设栅极结构的第二栅极结构，其中，在第一和第二栅极结构两侧形成有间隙壁结构；至少部分地蚀刻去除位于第二栅极结构两侧的间隙壁结构；在衬底上方形成内部互连材料层；至少蚀刻去除位于第一栅极结构上的全部内部互连材料层，以形成与第一栅极结构电性隔离而与第二栅极结构电性连接的内部互连层；以及在内部互连层上形成源/漏区接触孔。根据本发明的方法，能够减小栅极结构与隔离结构之间的间距，从而缩小半导体器件的尺寸，进而提高半导体晶片的利用率并降低制造成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种用于制作半导体器件结构的方法，包括：提供衬底，所述衬底包括有源区和隔离区，在所述衬底上形成有位于所述有源区上方的第一栅极结构和位于所述隔离区上方的作为虚设栅极结构的第二栅极结构，其中，在所述第一栅极结构两侧以及所述第二栅极结构两侧形成有间隙壁结构；至少部分地蚀刻去除位于所述第二栅极结构两侧的所述间隙壁结构；在所述衬底、所述第一和第二栅极结构上方形成内部互连材料层；至少蚀刻去除位于所述第一栅极结构上的全部所述内部互连材料层，以形成与所述第一栅极结构电性隔离而与所述第二栅极结构电性连接的内部互连层；以及在所述内部互连层上形成源/漏区接触孔。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
