[发明专利]一种钛酸铋钠-钛酸铅压电单晶的制备方法有效
| 申请号： | 201210324696.4 | 申请日： | 2012-09-04 |
| 公开（公告）号： | CN102817068A | 公开（公告）日： | 2012-12-12 |
| 发明（设计）人： | 陈建伟;罗豪甦;赵祥永;李晓兵;张海武;徐海清;王升;王西安;林迪;任博;狄文宁;邓昊 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| 主分类号： | C30B11/00 | 分类号： | C30B11/00;C30B29/32 |
| 代理公司： | 上海海颂知识产权代理事务所(普通合伙) 31258 | 代理人： | 何葆芳 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种钛酸铋钠-钛酸铅压电单晶的制备方法，所述方法为坩埚下降法，包括制备单晶生长起始料、采用坩埚下降法进行单晶生长及生长结束，降温至室温等步骤。本发明首次采用坩埚下降法制得了具有高居里温度和去极化温度的钛酸铋钠-钛酸铅压电单晶(NBT-PT)，不仅可使所制得的NBT-PT单晶尺寸达到Ф20mm×70mm，而且使所制得的NBT-PT单晶表现出优异的压电性能和良好的电场稳定性，居里温度可达300℃，退极化温度可达176℃，压电常数d33可达280pC/N，机电耦合系数kt可达52%，具有广阔的使用温度范围；而且含铅量极低，符合我国及国际环保需求，因此其应用前景十分广阔。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 钛酸铋钠 钛酸铅 压电 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种钛酸铋钠‑钛酸铅压电单晶的制备方法，其特征在于，为坩埚下降法，包括如下具体步骤：a)按照通式(1‑x)Na0.5Bi0.5TiO3‑xPbTiO3，其中0
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