[发明专利]一种热敏薄膜噪声测试方法有效

专利信息
申请号: 201210325916.5 申请日: 2012-09-06
公开(公告)号: CN102788911A 公开(公告)日: 2012-11-21
发明(设计)人: 顾德恩;孙言;李伟;刘子骥;蒋亚东;王涛 申请(专利权)人: 电子科技大学
主分类号: G01R29/26 分类号: G01R29/26
代理公司: 成都华典专利事务所(普通合伙) 51223 代理人: 徐丰;杨保刚
地址: 610000 四川省成*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 发明涉及红外探测器技术领域,公开了一种热敏薄膜噪声测试方法,该方法包括:设计具有金属参比单元组和不同单元尺寸的噪声测试阵列芯片,在芯片制作的MEMS工艺中结合反溅工序步骤,在芯片封装中采用金属板导热设计,在测试电路中采用多级桥式放大电路设计,在测试环境中同时进行电磁和气流扰动屏蔽。该方法可实现热敏薄膜噪声的可重复精确测试。
搜索关键词: 一种 热敏 薄膜 噪声 测试 方法
【主权项】:
一种热敏薄膜的噪声测试方法,其特征在于包括以下步骤:1)通过微细加工工艺制备基于热敏薄膜的测试单元阵列芯片,其中每个测试单元包括:在单晶硅片衬底上制备金属连接点、金属电极薄膜、热敏薄膜,并对金属电极薄膜及热敏薄膜做相应的钝化保护;2)把制备好的测试阵列芯片固定在陶瓷基板上,并通过金丝键合,从热敏感膜测试单元的金属连接点与基板金属电极相连;3)将用于封装的方形卡盒卡在陶瓷基板上,方形卡盒内的金属弹片与测试阵列基板金属电极紧密连接,金属弹片的另一端与对应并口引脚相连;4)通过同轴电缆接口(BNC)实现卡盒金属弹片电极与外电路各引脚相连接;5)把封装有测试阵列芯片的卡盒与多级桥式放大电路相连接,放大器一端连接偏置电源,另一端连接测试仪器,并将整体测试电路用金属箱封闭起来;6)根据对被测试单元的阻值及偏压条件的分析,选择偏置电源及测试仪器的工作参数,并选择合适的低噪放大器;7)根据测试需要,选择测试阵列芯片上某一单元进行测试,对测试数据进行计算和分析,得到相应的噪声参数。
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