[发明专利]超级结器件及其制造方法

摘要

本发明公开了一种超级结器件，单元区域中包括由氧化膜薄层、第一导电类型薄层、第二导电类型薄层和第一导电类型薄层组成的薄层单元重复排列而成的结构，终端结构中至少包括一个薄层单元。第一导电类型薄层的第一导电类型杂质由填充于氧化膜薄层所在位置处的沟槽中的多晶硅或非晶硅的杂质穿过一氧化层扩散到第二导电类型外延层中得到的。在氧化膜薄层的顶部形成有沟槽式栅极结构。本发明还公开了一种超级结器件的制造方法。本发明能降低形成P型薄层和N型薄层的工艺复杂性并降低工艺成本，能减少器件的栅极和漏极之间的寄生电容、提高器件的性能，能减少器件的终端结构的尺寸。

主权项

一种超级结器件，包括单元区域和终端结构，所述单元区域位于超级结器件的中间区域，所述终端结构围绕在所述单元区域的外周，其特征在于：所述单元区域中包括由侧面依次接触的氧化膜薄层、第一导电类型薄层、第二导电类型薄层和第一导电类型薄层组成的薄层单元重复排列而成的结构，所述薄层单元排列的方向为和硅衬底表面平行的横向；所述终端结构中至少包括一个所述薄层单元；所述薄层单元形成于第二导电类型外延层中，在所述第二导电类型外延层中形成有第一沟槽；所述氧化膜薄层由填充于所述第一沟槽的氧化层组成，两个相邻的所述第一沟槽之间形成有两个所述第一导电类型薄层和一个所述第二导电类型薄层；所述氧化膜薄层的氧化层包括填充于所述第一沟槽表面的第一氧化层以及由形成于所述第一氧化层上的第一导电类型的第二多晶硅或非晶硅氧化形成的第二氧化层；所述第一导电类型薄层的第一导电类型杂质由所述第二多晶硅或非晶硅的第一导电类型杂质穿过所述第一氧化层扩散到所述第二导电类型外延层中得到；所述第二导电类型薄层直接由位于两个相邻的所述第一沟槽之间且为两个所述第一导电类型薄层之间的所述第二导电类型外延层组成；在所述第二导电类型外延层中形成有第二沟槽，所述第二沟槽位于所述单元区域的各所述氧化膜薄层的正上方，所述第二沟槽的宽度大于等于所述氧化膜薄层的宽度，所述第二沟槽将和其相邻的所述第一导电类型薄层的顶部的侧面露出，在所述第二沟槽中依次形成有栅极氧化层以及栅极多晶硅，所述栅极氧化层和所述第一导电类型薄层的顶部侧面接触，所述栅极多晶硅将所述第二沟槽完全填充。