[发明专利]一种使用45度角的三维隧穿磁场传感器及其制备方法无效
| 申请号： | 201210326371.X | 申请日： | 2012-09-05 |
| 公开（公告）号： | CN102830374A | 公开（公告）日： | 2012-12-19 |
| 发明（设计）人： | 吴俊;张卫;王鹏飞;孙清清;周鹏 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | G01R33/09 | 分类号： | G01R33/09;B81C1/00 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 31200 | 代理人： | 陆飞;盛志范 |
| 地址： | 200433 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明属于磁场探测技术领域，具体为一种使用45度角的三维隧穿磁场传感器及其制造方法。本发明将用于测量不同纬度磁场的四个隧道巨磁阻模块置于一个使用45度角的凹槽或者凸台结构的侧壁之上形成三维隧穿磁场传感器，使得三维磁场传感器的体积减小、用于测量不同维度磁场的磁阻传感模块更为集中，从而使得三维磁场传感器可以更加灵活地运用到导航系统、磁场测量系统以及测量各种基于磁场的其他物理量的设备中。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 使用 45 三维 磁场 传感器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种使用45度角的三维隧穿磁场传感器，其特征在于主要为一个在半导体衬底上，通过四个与该半导体衬底表面呈45度斜角的侧壁互相相交围合，形成的凹槽或者凸台结构；所述侧壁与半导体衬底的交线围合成矩形或方形；在所述的凹槽或者凸台的第一侧壁、第二侧壁、第三侧壁和第四侧壁上分别形成有第一隧道巨磁阻模块、第二隧道巨磁阻模块、第三隧道巨磁阻模块和第四隧道巨磁阻模块；所述每个隧道巨磁阻模块所测磁场方向均平行于各自所在的侧壁表明且垂直于该侧壁与所述半导体衬底表面的交线。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于复旦大学，未经复旦大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210326371.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
