[发明专利]在硅衬底上生长III-氮化物的新方法有效
| 申请号： | 201210326640.2 | 申请日： | 2012-09-05 |
| 公开（公告）号： | CN103094314A | 公开（公告）日： | 2013-05-08 |
| 发明（设计）人： | 陈祈铭;刘柏均;林宏达;张晋诚;喻中一;蔡嘉雄;黃和涌 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/02;H01L21/20;C30B25/18;C23C16/34 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种电路结构，包括衬底以及位于衬底上方的图案化介电层。该图案化介电层包括多个通孔；以及多个III族V族(III-V)化合物半导体层。该III-V族化合物半导体层包括通孔中的第一层、位于该第一层上方的第二层和介电层、以及位于该第二层上方的体层。本发明还提供了一种在硅衬底上生长III-氮化物的新方法。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 生长 iii 氮化物 新方法 | ||
【主权项】：
一种电路结构，包括：硅衬底；图案化介电层，位于所述硅衬底上方，并且直接与所述硅衬底的顶面相接触，所述图案化介电层包括穿过介电层的多个通孔，所述多个通孔被布置成六边形图案；纵向生长层，设置在所述衬底上方，并且位于所述图案化介电层中的所述通孔内；III族至V族(III‑V)化合物半导体层的横向生长层，设置在所述纵向生长层和所述图案化介电层上方，从而在所述图案化介电层和所述纵向生长层上方形成连续的层；以及III‑V族化合物半导体层的体层，位于所述横向生长层上方。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司，未经台湾积体电路制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210326640.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
