[发明专利]氮化硅膜沉积设备和沉积方法

摘要

本发明提供了一种氮化硅膜沉积设备和沉积方法，该氮化硅膜沉积设备包括两个或两个以上的反应腔，以及连接在反应腔之间的缓冲腔，反应腔与缓冲腔之间形成真空连接。该氮化硅膜沉积方法包括以下步骤：将硅片基体送入上述的氮化硅膜沉积设备，使得硅片基体连续通过反应腔以及反应腔之间的缓冲腔，在硅片基体上沉积多层氮化硅膜。通过在多个反应腔内分步生成多层厚度和折射率不同的氮化硅膜，能够在保证钝化效果的前提下进一步降低硅片表面光反射率；多个反应腔互不干扰，能够保证沉积过程稳定运行；多个反应腔之间采用缓冲腔连接，能够保证整个沉积过程在真空条件下进行，从而避免了与外部空气接触引入杂质。

主权项

一种氮化硅膜沉积设备，其特征在于，包括两个或两个以上的反应腔，以及连接在所述反应腔之间的缓冲腔，所述反应腔与所述缓冲腔之间形成真空连接。