[发明专利]半导体存储装置有效
| 申请号： | 201210328076.8 | 申请日： | 2012-09-06 |
| 公开（公告）号： | CN103022012B | 公开（公告）日： | 2017-03-01 |
| 发明（设计）人： | 热海知昭;奥田高 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L23/552 | 分类号： | H01L23/552;H01L27/108;G11C11/4063 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司31100 | 代理人： | 邱忠贶 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种半导体存储装置，能降低在半导体存储装置中产生故障的可能性。在叠层配置的存储单元阵列（例如，包括使用氧化物半导体材料构成的晶体管的存储单元阵列）和外围电路（例如，包括使用半导体衬底构成的晶体管的外围电路）之间配置遮蔽层。由此，可以遮蔽在该存储单元阵列和该外围电路之间产生的辐射噪声。因此，可以降低在半导体存储装置中产生故障的可能性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体存储装置，包括：外围电路；所述外围电路上的导电膜；以及所述导电膜上的存储单元阵列，其中，所述存储单元阵列包括具有晶体管的存储单元，并且，整个所述存储单元阵列与所述导电膜重叠。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社半导体能源研究所，未经株式会社半导体能源研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210328076.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
