[发明专利]一种背部沟槽结构绝缘栅双极晶体管及其制备方法无效
| 申请号： | 201210328177.5 | 申请日： | 2012-09-06 |
| 公开（公告）号： | CN103681814A | 公开（公告）日： | 2014-03-26 |
| 发明（设计）人： | 朱江 | 申请（专利权）人： | 朱江 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/08;H01L21/331 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 310018 浙江省杭*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种背部沟槽结构绝缘栅双极晶体管，传统绝缘栅双极晶体管的背P+发射区完全覆盖器件背面，本发明的绝缘栅双极晶体管通过沟槽将器件背面部分或全部区域设置为多晶P+发射区，以此调节背P+发射区向N型基区注入空穴的效率，提高器件高频特性的应用范围。本发明还提供了一种背部沟槽结构绝缘栅双极晶体管的制备方法。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 背部 沟槽 结构 绝缘 双极晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种背部沟槽结构绝缘栅双极晶体管，其特征在于：包括：N型基区，由N‑基区组成；P型基区、N+集电区、栅氧化层和栅极介质，位于N型基区上方；背沟槽多晶P+发射区，为多个沟槽结构，位于N型基区下方，P型多晶半导体材料临靠沟槽内壁，N+缓冲层临靠P型多晶半导体材料，N+缓冲层位于P型多晶半导体材料与N型基区之间，同时背沟槽内填充电极金属。
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