[发明专利]制造显示设备的方法和蚀刻溶液组合物有效
申请号: | 201210330575.0 | 申请日: | 2012-09-07 |
公开(公告)号: | CN103000509A | 公开(公告)日: | 2013-03-27 |
发明(设计)人: | 张尚勋;尹暎晋;沈庆辅 | 申请(专利权)人: | 东友精细化工有限公司 |
主分类号: | H01L21/306 | 分类号: | H01L21/306;H01L21/3213;C09K13/08;C23F1/18 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 李中奎 |
地址: | 韩国全罗*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 本发明公开了一种制造显示设备的方法和蚀刻溶液组合物,所述蚀刻溶液组合物用于上述方法。所述用于铜金属层/金属氧化物层的蚀刻溶液组合物用于同时蚀刻含有所述铜金属层的数据金属层和含有所述金属氧化物层的氧化物半导体层,所述蚀刻溶液组合物依次进行所述数据金属层和所述氧化物半导体层的图案形成,以便形成半导体图案和包括数据线路、源电极和漏电极的源图案。因此,本发明的组合物有效地适用于所述制造显示设备的方法,确保改善薄膜晶体管和显示设备的制造过程中的生产率和可靠性。 | ||
搜索关键词: | 制造 显示 设备 方法 蚀刻 溶液 组合 | ||
【主权项】:
一种制造显示设备的方法,所述方法包括以下步骤:在基板上形成包括栅极线和栅极电极的栅极图案;在其上形成有所述栅极图案的所述基板上提供氧化物半导体层,其中所述氧化物半导体层包括金属氧化物层;在所述氧化物半导体层上提供数据金属层,其中所述数据金属层包括铜金属层;通过利用蚀刻溶液组合物同时且完全地蚀刻所述数据金属层和所述氧化物半导体层来使所述数据金属层和所述氧化物半导体层形成图案,以便形成包括半导体图案、数据线、源电极和漏电极的源图案;以及提供电连接到所述漏电极的像素电极,其中,所述蚀刻溶液组合物包括:重量百分比为0.5%至20%的过硫酸盐;重量百分比为0.01%至2%的氟化合物;重量百分比为1%至10%的无机酸;重量百分比为0.5%至5%的环胺化合物;重量百分比为0.001%至5%的氯化合物;重量百分比为0.1%至10%的有机酸、该有机酸的盐或二者的混合物;和形成所述组合物的余量的水。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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